2020-10-21 13:14:16
【ビジネスワイヤ】東芝デバイス&ストレージは、1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)「TW070J120B」を発売したと発表した。新製品は1200V耐圧シリコンIGBT(絶縁ゲート型バイポーラートランジスタ)の同社従来製品「GT40QR21」と比べて、ターンオフスイッチング損失やスイッチング時間を大幅に低減し、低オン電圧特性を持つ。高いゲートしきい値電